IXTH1N170DHV - IXYS

Numéro d'article	IXTH1N170DHV
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	1700V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	1A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 Ohm @ 500mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3090pF @ 25V
FET Caractéristique	Depletion Mode
Dissipation de puissance (Max)	290W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247HV
Paquet / cas	TO-247-3 Variant
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXTH02N250	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247	Détails
IXTH02N450HV	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO247HV	Détails
IXTH04N300P3HV	IXYS	2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF	Détails
IXTH06N220P3HV	IXYS	MOSFET N-CH	Détails
IXTH102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A TO-247	Détails
IXTH102N20T	IXYS	MOSFET N-CH 200V 102A TO-247	Détails
IXTH102N25T	IXYS	MOSFET N-CH 250V 102A TO-247	Détails
IXTH10N100D	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247	Détails
IXTH10N100D2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247	Détails
IXTH10P50	IXYS	MOSFET P-CH 500V 10A TO-247AD	Détails