IXTH02N250 - IXYS

Numéro d'article	IXTH02N250
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	2500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	200mA (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	7.4nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	116pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 Ohm @ 50mA, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247 (IXTH)
Paquet / cas	TO-247-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXTH02N250	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247	Détails
IXTH02N450HV	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO247HV	Détails
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IXTH06N220P3HV	IXYS	MOSFET N-CH	Détails
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IXTH102N20T	IXYS	MOSFET N-CH 200V 102A TO-247	Détails
IXTH102N25T	IXYS	MOSFET N-CH 250V 102A TO-247	Détails
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