IXTH10N100D2 - IXYS

Número de pieza	IXTH10N100D2
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	200nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5320pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	Depletion Mode
Disipación de potencia (Máx)	695W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 5A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-247
Paquete / caja	TO-247-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IXTH02N250	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247	Detalles
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IXTH06N220P3HV	IXYS	MOSFET N-CH	Detalles
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