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IXTH10N100D2 - IXYS

品番: IXTH10N100D2
メーカー: IXYS
簡単な説明: MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: IXTH10N100D2 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: IXTH10N100D2.pdf
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 2441 pcs
参考価格: USD 10.8873/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

IXTH10N100D2 詳細な説明

品番	IXTH10N100D2
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	10A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	-
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	200nC @ 5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	5320pF @ 25V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	Depletion Mode
消費電力（最大）	695W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	1.5 Ohm @ 5A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-247
パッケージ/ケース	TO-247-3
重量	-
原産国	-

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