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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXFT80N65X2HV
IXFT80N65X2HV

IXFT80N65X2HV - IXYS

品番
IXFT80N65X2HV
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXFT80N65X2HV PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
16390 pcs
参考価格
USD 10.045/pcs
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IXFT80N65X2HV 詳細な説明

品番 IXFT80N65X2HV
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs -
Vgs（th）（Max）@ Id 5V @ 4mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 140nC @ 10V
Vgs（最大） ±30V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 8300pF @ 25V
FET機能 -
消費電力（最大） 890W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-268HV
パッケージ/ケース TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
重量 -
原産国 -

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