IXFT80N65X2HV

IXFT80N65X2HV - IXYS

Numéro d'article
IXFT80N65X2HV
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
16390 pcs
Prix ​​de référence
USD 10.045/pcs
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IXFT80N65X2HV Description détaillée

Numéro d'article IXFT80N65X2HV
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8300pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 890W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-268HV
Paquet / cas TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Poids -
Pays d'origine -

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