IXFT80N65X2HV - IXYS

Artikelnummer	IXFT80N65X2HV
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8300pF @ 25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	890W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-268HV
Paket / Fall	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXFT80N08	IXYS	MOSFET N-CH 80V 80A TO-268	Einzelheiten
IXFT80N085	IXYS	MOSFET N-CH 85V 80A TO-268	Einzelheiten
IXFT80N10Q	IXYS	MOSFET N-CH 100V 80A TO-268	Einzelheiten
IXFT80N15Q	IXYS	MOSFET N-CH 150V 80A TO-268	Einzelheiten
IXFT80N20Q	IXYS	MOSFET N-CH 200V 80A TO-268	Einzelheiten
IXFT80N30P3	IXYS	MOSFET N-CH 300V 80A TO-268	Einzelheiten
IXFT80N65X2HV	IXYS	MOSFET N-CH	Einzelheiten
IXFT86N30T	IXYS	MOSFET N-CH 300V 86A TO268	Einzelheiten
IXFT88N28P	IXYS	MOSFET N-CH 280V 88A TO268	Einzelheiten
IXFT88N30P	IXYS	MOSFET N-CH 300V 88A TO268	Einzelheiten