IXFT80N65X2HV

IXFT80N65X2HV - IXYS

Numero di parte
IXFT80N65X2HV
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
MOSFET N-CH
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
16390 pcs
Prezzo di riferimento
USD 10.045/pcs
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IXFT80N65X2HV Descrizione dettagliata

Numero di parte IXFT80N65X2HV
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8300pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 890W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-268HV
Pacchetto / caso TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Peso -
Paese d'origine -

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