• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXFQ24N50P2
IXFQ24N50P2

IXFQ24N50P2 - IXYS

品番
IXFQ24N50P2
メーカー
IXYS
簡単な説明
500V POLAR2 HIPERFETS
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXFQ24N50P2 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IXFQ24N50P2.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
7126 pcs
参考価格
USD 3.7867/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください IXFQ24N50P2

IXFQ24N50P2 詳細な説明

品番 IXFQ24N50P2
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 500V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 24A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4.5V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 48nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2890pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 480W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 270 mOhm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-3P
パッケージ/ケース TO-3P-3, SC-65-3
重量 -
原産国 -

関連製品 IXFQ24N50P2

画像 品番 メーカー 説明 見る
IXFQ10N80P IXFQ10N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P 詳細
IXFQ120N25X3 IXFQ120N25X3 IXYS MOSFET N-CHANNEL 250V 120A TO3P 詳細
IXFQ12N80P IXFQ12N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P 詳細
IXFQ140N20X3 IXFQ140N20X3 IXYS 200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS 詳細
IXFQ14N80P IXFQ14N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P 詳細
IXFQ20N50P3 IXFQ20N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P 詳細
IXFQ21N50Q IXFQ21N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P 詳細
IXFQ22N60P3 IXFQ22N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 22A TO3P 詳細
IXFQ23N60Q IXFQ23N60Q IXYS MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3) 詳細
IXFQ24N50P2 IXFQ24N50P2 IXYS 500V POLAR2 HIPERFETS 詳細