IXFQ12N80P

IXFQ12N80P - IXYS

品番
IXFQ12N80P
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
6999 pcs
参考価格
USD 3.861/pcs
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IXFQ12N80P 詳細な説明

品番 IXFQ12N80P
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 800V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 12A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5.5V @ 2.5mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 51nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2800pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 360W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 850 mOhm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-3P
パッケージ/ケース TO-3P-3, SC-65-3
重量 -
原産国 -

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