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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXFQ12N80P
IXFQ12N80P

IXFQ12N80P - IXYS

品番
IXFQ12N80P
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXFQ12N80P PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IXFQ12N80P.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
6567 pcs
参考価格
USD 3.861/pcs
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IXFQ12N80P 詳細な説明

品番 IXFQ12N80P
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 800V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 12A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 5.5V @ 2.5mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 51nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2800pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 360W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 850 mOhm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-3P
パッケージ/ケース TO-3P-3, SC-65-3
重量 -
原産国 -

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