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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXFQ23N60Q
IXFQ23N60Q

IXFQ23N60Q - IXYS

品番
IXFQ23N60Q
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXFQ23N60Q PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
2129 pcs
参考価格
USD 11.94/pcs
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IXFQ23N60Q 詳細な説明

品番 IXFQ23N60Q
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 23A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） -
Vgs（th）（Max）@ Id -
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs -
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds -
Vgs（最大） -
FET機能 -
消費電力（最大） -
Rds On（Max）@ Id、Vgs -
動作温度 -
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-268
パッケージ/ケース TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
重量 -
原産国 -

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