IXFQ24N50P2 - IXYS

номер части	IXFQ24N50P2
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	500V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	24A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	48nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	2890pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	480W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 500mA, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-3P
Упаковка / чехол	TO-3P-3, SC-65-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXFQ10N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P	подробности
IXFQ120N25X3	IXYS	MOSFET N-CHANNEL 250V 120A TO3P	подробности
IXFQ12N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P	подробности
IXFQ140N20X3	IXYS	200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS	подробности
IXFQ14N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P	подробности
IXFQ20N50P3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P	подробности
IXFQ21N50Q	IXYS	MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P	подробности
IXFQ22N60P3	IXYS	MOSFET N-CH 600V 22A TO3P	подробности
IXFQ23N60Q	IXYS	MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)	подробности
IXFQ24N50P2	IXYS	500V POLAR2 HIPERFETS	подробности