• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXFB70N60Q2
IXFB70N60Q2

IXFB70N60Q2 - IXYS

品番
IXFB70N60Q2
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXFB70N60Q2 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
47 pcs
参考価格
USD 37.09/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください IXFB70N60Q2

IXFB70N60Q2 詳細な説明

品番 IXFB70N60Q2
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 70A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 5.5V @ 8mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 265nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 12000pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 890W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 88 mOhm @ 35A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PLUS264™
パッケージ/ケース TO-264-3, TO-264AA
重量 -
原産国 -

関連製品 IXFB70N60Q2

画像 品番 メーカー 説明 見る
IXFB100N50P IXFB100N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 詳細
IXFB100N50Q3 IXFB100N50Q3 IXYS MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 詳細
IXFB110N60P3 IXFB110N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264 詳細
IXFB120N50P2 IXFB120N50P2 IXYS MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264 詳細
IXFB132N50P3 IXFB132N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264 詳細
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264 詳細
IXFB170N30P IXFB170N30P IXYS MOSFET N-CH TO-264 詳細
IXFB210N20P IXFB210N20P IXYS MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264 詳細
IXFB210N30P3 IXFB210N30P3 IXYS MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264 詳細
IXFB300N10P IXFB300N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264 詳細