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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXFB150N65X2
IXFB150N65X2

IXFB150N65X2 - IXYS

品番
IXFB150N65X2
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXFB150N65X2 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IXFB150N65X2.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1027 pcs
参考価格
USD 25.96/pcs
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IXFB150N65X2 詳細な説明

品番 IXFB150N65X2
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 150A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 5.5V @ 8mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 430nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 20400pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 1560W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 17 mOhm @ 75A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PLUS264™
パッケージ/ケース TO-264-3, TO-264AA
重量 -
原産国 -

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