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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXFB120N50P2
IXFB120N50P2

IXFB120N50P2 - IXYS

品番
IXFB120N50P2
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXFB120N50P2 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IXFB120N50P2.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
112 pcs
参考価格
USD 22.89/pcs
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IXFB120N50P2 詳細な説明

品番 IXFB120N50P2
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 500V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 120A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 5V @ 8mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 300nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 19000pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 1890W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 43 mOhm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PLUS264™
パッケージ/ケース TO-264-3, TO-264AA
重量 -
原産国 -

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