IXFB120N50P2 - IXYS

номер части	IXFB120N50P2
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	500V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	120A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	300nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	19000pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	1890W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	43 mOhm @ 500mA, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PLUS264™
Упаковка / чехол	TO-264-3, TO-264AA
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXFB100N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264	подробности
IXFB100N50Q3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264	подробности
IXFB110N60P3	IXYS	MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264	подробности
IXFB120N50P2	IXYS	MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264	подробности
IXFB132N50P3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264	подробности
IXFB150N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264	подробности
IXFB170N30P	IXYS	MOSFET N-CH TO-264	подробности
IXFB210N20P	IXYS	MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264	подробности
IXFB210N30P3	IXYS	MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264	подробности
IXFB300N10P	IXYS	MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264	подробности