IXFB100N50P Подробное описание
номер части |
IXFB100N50P |
Статус детали |
Active |
Тип полевого транзистора |
N-Channel |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
500V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
100A (Tc) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
5V @ 8mA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
240nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
20000pF @ 25V |
Vgs (Макс.) |
±30V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
1890W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
49 mOhm @ 50A, 10V |
Рабочая Температура |
- |
Тип монтажа |
Through Hole |
Пакет устройств поставщика |
PLUS264™ |
Упаковка / чехол |
TO-264-3, TO-264AA |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IXFB100N50P