IXFB70N60Q2 - IXYS

Numero di parte	IXFB70N60Q2
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	70A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	265nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	12000pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	88 mOhm @ 35A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PLUS264™
Pacchetto / caso	TO-264-3, TO-264AA
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IXFB100N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264	Dettagli
IXFB100N50Q3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264	Dettagli
IXFB110N60P3	IXYS	MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264	Dettagli
IXFB120N50P2	IXYS	MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264	Dettagli
IXFB132N50P3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264	Dettagli
IXFB150N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264	Dettagli
IXFB170N30P	IXYS	MOSFET N-CH TO-264	Dettagli
IXFB210N20P	IXYS	MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264	Dettagli
IXFB210N30P3	IXYS	MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264	Dettagli
IXFB300N10P	IXYS	MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264	Dettagli