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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - アレイ › FII50-12E
FII50-12E

FII50-12E - IXYS

品番
FII50-12E
メーカー
IXYS
簡単な説明
IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
FII50-12E PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
FII50-12E.pdf
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3695 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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FII50-12E 詳細な説明

品番 FII50-12E
部品ステータス Obsolete
IGBTタイプ NPT
構成 Half Bridge
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 50A
電力 - 最大 200W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.6V @ 15V, 30A
電流 - コレクタ遮断（最大） 400µA
入力容量（Cies）@ Vce 2nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース i4-Pac™-5
サプライヤデバイスパッケージ ISOPLUS i4-PAC™
重量 -
原産国 -

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