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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Matrices › FII50-12E
FII50-12E

FII50-12E - IXYS

Numéro d'article
FII50-12E
Fabricant
IXYS
Brève description
IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
FII50-12E Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
FII50-12E.pdf
Catégorie
Transistors - IGBT - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4374 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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FII50-12E Description détaillée

Numéro d'article FII50-12E
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT NPT
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 50A
Puissance - Max 200W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 30A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 400µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas i4-Pac™-5
Package de périphérique fournisseur ISOPLUS i4-PAC™
Poids -
Pays d'origine -

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