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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - IGBT - Arreglos › FII50-12E
FII50-12E

FII50-12E - IXYS

Número de pieza
FII50-12E
Fabricante
IXYS
Breve descripción
IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
FII50-12E Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
FII50-12E.pdf
Categoría
Transistores - IGBT - Arreglos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3694 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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FII50-12E Descripción detallada

Número de pieza FII50-12E
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de IGBT NPT
Configuración Half Bridge
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
Potencia - Max 200W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 30A
Corriente - corte de colector (máximo) 400µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja i4-Pac™-5
Paquete de dispositivo del proveedor ISOPLUS i4-PAC™
Peso -
País de origen -

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