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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - アレイ › FII30-12E
FII30-12E

FII30-12E - IXYS

品番
FII30-12E
メーカー
IXYS
簡単な説明
IGBT PHASE TOP ISOPLUS I4-PAC-5
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
FII30-12E PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
FII30-12E.pdf
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3681 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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FII30-12E 詳細な説明

品番 FII30-12E
部品ステータス Obsolete
IGBTタイプ NPT
構成 Half Bridge
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 33A
電力 - 最大 150W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.9V @ 15V, 20A
電流 - コレクタ遮断（最大） 200µA
入力容量（Cies）@ Vce 1.2nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース i4-Pac™-5
サプライヤデバイスパッケージ ISOPLUS i4-PAC™
重量 -
原産国 -

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