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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Array › FII30-12E
FII30-12E

FII30-12E - IXYS

Numero di parte
FII30-12E
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
IGBT PHASE TOP ISOPLUS I4-PAC-5
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
FII30-12E Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
FII30-12E.pdf
Categoria
Transistor - IGBT - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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FII30-12E Descrizione dettagliata

Numero di parte FII30-12E
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT NPT
Configurazione Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 33A
Potenza - Max 150W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 20A
Corrente - Limite del collettore (max) 200µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 1.2nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso i4-Pac™-5
Pacchetto dispositivo fornitore ISOPLUS i4-PAC™
Peso -
Paese d'origine -

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