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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › SPN01N60C3
SPN01N60C3

SPN01N60C3 - Infineon Technologies

品番
SPN01N60C3
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
SPN01N60C3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
SPN01N60C3.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3847 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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SPN01N60C3 詳細な説明

品番 SPN01N60C3
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 300mA (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3.7V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 5nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 100pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 1.8W (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 6 Ohm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT223-4
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
重量 -
原産国 -

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