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SPN02N60C3 - Infineon Technologies

品番: SPN02N60C3
メーカー: Infineon Technologies
簡単な説明: MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SPN02N60C3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: SPN02N60C3.pdf
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 3827 pcs
参考価格: USD 0/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SPN02N60C3 詳細な説明

品番	SPN02N60C3
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	400mA (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3.9V @ 80µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	13nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	200pF @ 25V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	1.8W (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	2.5 Ohm @ 1.1A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PG-SOT223-4
パッケージ/ケース	TO-261-4, TO-261AA
重量	-
原産国	-

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