| 品番 | SPN02N60C3 E6433 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 400mA (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.9V @ 80µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 13nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 200pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.8W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 2.5 Ohm @ 1.1A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT223-4 |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
|
SPN02N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223 | 詳細 |
|
SPN02N60C3 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223 | 詳細 |
|
SPN02N60S5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT-223 | 詳細 |
