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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › SPN01N60C3
SPN01N60C3

SPN01N60C3 - Infineon Technologies

Numero di parte
SPN01N60C3
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
SPN01N60C3 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
SPN01N60C3.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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4492 pcs
Prezzo di riferimento
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SPN01N60C3 Descrizione dettagliata

Numero di parte SPN01N60C3
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 100pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT223-4
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
Peso -
Paese d'origine -

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