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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IPS65R1K0CEAKMA2
IPS65R1K0CEAKMA2

IPS65R1K0CEAKMA2 - Infineon Technologies

品番
IPS65R1K0CEAKMA2
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
CONSUMER
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IPS65R1K0CEAKMA2 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
479750 pcs
参考価格
USD 0.3432/pcs
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IPS65R1K0CEAKMA2 詳細な説明

品番 IPS65R1K0CEAKMA2
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 7.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3.5V @ 200µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 15.3nC @ 10V
Vgs（最大） ±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 328pF @ 100V
FET機能 -
消費電力（最大） 68W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO251-3-342
パッケージ/ケース TO-251-3 Stub Leads, IPak
重量 -
原産国 -

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