IPS65R1K0CEAKMA2 - Infineon Technologies

номер части	IPS65R1K0CEAKMA2
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	7.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	15.3nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	328pF @ 100V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	68W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PG-TO251-3-342
Упаковка / чехол	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IPS65R1K0CEAKMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3	подробности
IPS65R1K0CEAKMA2	Infineon Technologies	CONSUMER	подробности
IPS65R1K4C6AKMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251	подробности
IPS65R1K5CEAKMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V TO-251-3	подробности
IPS65R400CEAKMA1	Infineon Technologies	CONSUMER	подробности
IPS65R600E6AKMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V TO-251-3	подробности
IPS65R650CEAKMA1	Infineon Technologies	MOSFET COOLMOS 650V TO251-3	подробности
IPS65R950C6AKMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251	подробности