IPS65R1K0CEAKMA2 Подробное описание
номер части |
IPS65R1K0CEAKMA2 |
Статус детали |
Active |
Тип полевого транзистора |
N-Channel |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
650V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
7.2A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
1 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3.5V @ 200µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
15.3nC @ 10V |
Vgs (Макс.) |
±20V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
328pF @ 100V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
68W (Tc) |
Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа |
Through Hole |
Пакет устройств поставщика |
PG-TO251-3-342 |
Упаковка / чехол |
TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IPS65R1K0CEAKMA2