IPS65R1K0CEAKMA1

IPS65R1K0CEAKMA1 - Infineon Technologies

номер части
IPS65R1K0CEAKMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
IPS65R1K0CEAKMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
IPS65R1K0CEAKMA1.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
85729 pcs
Справочная цена
USD 0.305/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку IPS65R1K0CEAKMA1

IPS65R1K0CEAKMA1 Подробное описание

номер части IPS65R1K0CEAKMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4.3A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15.3nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 328pF @ 100V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 37W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 1.5A, 10V
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика TO-251
Упаковка / чехол TO-251-3 Stub Leads, IPak
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IPS65R1K0CEAKMA1