IPS65R1K0CEAKMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: IPS65R1K0CEAKMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 88090 pcs
Precio de referencia: USD 0.305/pcs
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Número de pieza	IPS65R1K0CEAKMA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.3A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 200µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	15.3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	328pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 1.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-251
Paquete / caja	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IPS65R1K0CEAKMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3	Detalles
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