IPS65R1K5CEAKMA1 Descripción detallada
| Número de pieza |
IPS65R1K5CEAKMA1 |
| Estado de la pieza |
Active |
| Tipo de FET |
N-Channel |
| Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
3.1A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
3.5V @ 100µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
10.5nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
225pF @ 100V |
| Vgs (Max) |
±20V |
| Característica FET |
- |
| Disipación de potencia (Máx) |
28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
1.5 Ohm @ 1A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje |
Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor |
TO-251 |
| Paquete / caja |
TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Peso |
- |
| País de origen |
- |
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