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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IPS65R950C6AKMA1
IPS65R950C6AKMA1

IPS65R950C6AKMA1 - Infineon Technologies

品番
IPS65R950C6AKMA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IPS65R950C6AKMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
122 pcs
参考価格
USD 1.12/pcs
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IPS65R950C6AKMA1 詳細な説明

品番 IPS65R950C6AKMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 4.5A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3.5V @ 200µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 15.3nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 328pF @ 100V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 37W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 950 mOhm @ 1.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO251-3
パッケージ/ケース TO-251-3 Stub Leads, IPak
重量 -
原産国 -

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