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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IPS65R650CEAKMA1
IPS65R650CEAKMA1

IPS65R650CEAKMA1 - Infineon Technologies

品番
IPS65R650CEAKMA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET COOLMOS 650V TO251-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IPS65R650CEAKMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IPS65R650CEAKMA1.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
71827 pcs
参考価格
USD 0.3696/pcs
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IPS65R650CEAKMA1 詳細な説明

品番 IPS65R650CEAKMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 700V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 10.1A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3.5V @ 210µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 23nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 440pF @ 100V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 86W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 650 mOhm @ 2.1A, 10V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO251-3
パッケージ/ケース TO-251-3 Stub Leads, IPak
重量 -
原産国 -

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