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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IPN80R3K3P7ATMA1
IPN80R3K3P7ATMA1

IPN80R3K3P7ATMA1 - Infineon Technologies

品番
IPN80R3K3P7ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
COOLMOS P7 800V SOT-223
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IPN80R3K3P7ATMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
509610 pcs
参考価格
USD 0.32309/pcs
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メールで送信：[email protected]

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IPN80R3K3P7ATMA1 詳細な説明

品番 IPN80R3K3P7ATMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 800V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 3.3 Ohm @ 590mA, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3.5V @ 30µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 5.8nC @ 10V
Vgs（最大） ±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 120pF @ 500V
FET機能 -
消費電力（最大） 6.1W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT223
パッケージ/ケース TO-261-3
重量 -
原産国 -

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