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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IPN80R4K5P7ATMA1
IPN80R4K5P7ATMA1

IPN80R4K5P7ATMA1 - Infineon Technologies

品番
IPN80R4K5P7ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
LOW POWER_NEW
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IPN80R4K5P7ATMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
78522 pcs
参考価格
USD 0.3265/pcs
私達の価格
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IPN80R4K5P7ATMA1 詳細な説明

品番 IPN80R4K5P7ATMA1
部品ステータス Active
FETタイプ -
技術 -
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） -
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） -
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） -
Vgs（th）（Max）@ Id -
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs -
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds -
Vgs（最大） -
FET機能 -
消費電力（最大） -
Rds On（Max）@ Id、Vgs -
動作温度 -
取付タイプ -
サプライヤデバイスパッケージ -
パッケージ/ケース -
重量 -
原産国 -

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