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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › IPN80R4K5P7ATMA1
IPN80R4K5P7ATMA1

IPN80R4K5P7ATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
IPN80R4K5P7ATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
LOW POWER_NEW
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IPN80R4K5P7ATMA1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
82465 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.3265/pcs
Il nostro prezzo
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IPN80R4K5P7ATMA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte IPN80R4K5P7ATMA1
Stato parte Active
Tipo FET -
Tecnologia -
Drain to Source Voltage (Vdss) -
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (massimo) -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio -
Pacchetto dispositivo fornitore -
Pacchetto / caso -
Peso -
Paese d'origine -

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