IPN80R2K4P7ATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte	IPN80R2K4P7ATMA1
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 500V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	6.3W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT223
Pacchetto / caso	TO-261-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IPN80R1K2P7ATMA1	Infineon Technologies	COOLMOS P7 800V SOT-223	Dettagli
IPN80R1K4P7ATMA1	Infineon Technologies	LOW POWER_NEW	Dettagli
IPN80R2K0P7ATMA1	Infineon Technologies	LOW POWER_NEW	Dettagli
IPN80R2K4P7ATMA1	Infineon Technologies	COOLMOS P7 800V SOT-223	Dettagli
IPN80R3K3P7ATMA1	Infineon Technologies	COOLMOS P7 800V SOT-223	Dettagli
IPN80R4K5P7ATMA1	Infineon Technologies	LOW POWER_NEW	Dettagli
IPN80R600P7ATMA1	Infineon Technologies	COOLMOS P7 800V SOT-223	Dettagli
IPN80R750P7ATMA1	Infineon Technologies	COOLMOS P7 800V SOT-223	Dettagli
IPN80R900P7ATMA1	Infineon Technologies	LOW POWER_NEW	Dettagli