| Artikelnummer | IPN80R2K4P7ATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.4 Ohm @ 800mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 500V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 6.3W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT223 |
| Paket / Fall | TO-261-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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