IPN80R3K3P7ATMA1 - Infineon Technologies

номер части	IPN80R3K3P7ATMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	800V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	1.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	3.3 Ohm @ 590mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 30µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	5.8nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	120pF @ 500V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	6.1W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-SOT223
Упаковка / чехол	TO-261-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IPN80R1K2P7ATMA1	Infineon Technologies	COOLMOS P7 800V SOT-223	подробности
IPN80R1K4P7ATMA1	Infineon Technologies	LOW POWER_NEW	подробности
IPN80R2K0P7ATMA1	Infineon Technologies	LOW POWER_NEW	подробности
IPN80R2K4P7ATMA1	Infineon Technologies	COOLMOS P7 800V SOT-223	подробности
IPN80R3K3P7ATMA1	Infineon Technologies	COOLMOS P7 800V SOT-223	подробности
IPN80R4K5P7ATMA1	Infineon Technologies	LOW POWER_NEW	подробности
IPN80R600P7ATMA1	Infineon Technologies	COOLMOS P7 800V SOT-223	подробности
IPN80R750P7ATMA1	Infineon Technologies	COOLMOS P7 800V SOT-223	подробности
IPN80R900P7ATMA1	Infineon Technologies	LOW POWER_NEW	подробности