| 品番 | IPB65R125C7ATMA2 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 125 mOhm @ 8.9A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 440µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 35nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1670pF @ 400V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 101W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3 |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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IPB65R045C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3 | 詳細 |
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IPB65R045C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3 | 詳細 |
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IPB65R065C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | 詳細 |
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IPB65R065C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | 詳細 |
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IPB65R095C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | 詳細 |
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IPB65R095C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | 詳細 |
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IPB65R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A TO263 | 詳細 |
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IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | 詳細 |
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IPB65R110CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 | 詳細 |
