DF150R12RT4HOSA1

DF150R12RT4HOSA1 - Infineon Technologies

品番
DF150R12RT4HOSA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
IGBT MODULE VCES 1200V 150A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3160 pcs
参考価格
USD 52.097/pcs
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DF150R12RT4HOSA1 詳細な説明

品番 DF150R12RT4HOSA1
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench Field Stop
構成 Single Chopper
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 150A
電力 - 最大 790W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 2.15V @ 15V, 150A
電流 - コレクタ遮断(最大) 1mA
入力容量(Cies)@ Vce 9.3nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -40°C ~ 150°C
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module
重量 -
原産国 -

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