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DF150R12RT4HOSA1

DF150R12RT4HOSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article: DF150R12RT4HOSA1
Fabricant: Infineon Technologies
Brève description: IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne: DF150R12RT4HOSA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download: -
Catégorie: Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison: 1 Day
Code de date: New
Quantité en stock: 3160 pcs
Prix de référence: USD 52.097/pcs
Notre prix: Envoyer par email: [email protected]

DF150R12RT4HOSA1 Description détaillée

Numéro d'article	DF150R12RT4HOSA1
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	Trench Field Stop
Configuration	Single Chopper
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	150A
Puissance - Max	790W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.15V @ 15V, 150A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	9.3nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	Module
Package de périphérique fournisseur	Module
Poids	-
Pays d'origine	-

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