DF150R12RT4HOSA1

DF150R12RT4HOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
DF150R12RT4HOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DF150R12RT4HOSA1 PDF-Online-Browsing
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3160 pcs
Referenzpreis
USD 52.097/pcs
Unser Preis
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DF150R12RT4HOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DF150R12RT4HOSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Single Chopper
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 150A
Leistung max 790W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 150A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 9.3nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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