DF150R12RT4HOSA1

DF150R12RT4HOSA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
DF150R12RT4HOSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - IGBT - Módulos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3160 pcs
Precio de referencia
USD 52.097/pcs
Nuestro precio
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DF150R12RT4HOSA1 Descripción detallada

Número de pieza DF150R12RT4HOSA1
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Configuración Single Chopper
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 150A
Potencia - Max 790W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 150A
Corriente - corte de colector (máximo) 1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 9.3nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor Module
Peso -
País de origen -

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