BSZ340N08NS3GATMA1 - Infineon Technologies

品番	BSZ340N08NS3GATMA1
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	80V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	6A (Ta), 23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	34 mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3.5V @ 12µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	9.1nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	630pF @ 40V
FET機能	-
消費電力（最大）	2.1W (Ta), 32W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TSDSON-8
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN
重量	-
原産国	-

画像	品番	メーカー	説明	見る
	BSZ340N08NS3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8	詳細
	BSZ340N08NS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8	詳細