BSZ340N08NS3GATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte: BSZ340N08NS3GATMA1
fabbricante: Infineon Technologies
Breve descrizione: MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data: New
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Numero di parte	BSZ340N08NS3GATMA1
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Ta), 23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	34 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 12µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.1nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	630pF @ 40V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.1W (Ta), 32W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TSDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	BSZ340N08NS3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8	Dettagli
	BSZ340N08NS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8	Dettagli