BSZ340N08NS3GATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article	BSZ340N08NS3GATMA1
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	6A (Ta), 23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	34 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 12µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	9.1nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	630pF @ 40V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2.1W (Ta), 32W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TSDSON-8
Paquet / cas	8-PowerTDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	BSZ340N08NS3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8	Détails
	BSZ340N08NS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8	Détails