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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › GA06JT12-247
GA06JT12-247

GA06JT12-247 - GeneSiC Semiconductor

品番
GA06JT12-247
メーカー
GeneSiC Semiconductor
簡単な説明
TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
GA06JT12-247 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
GA06JT12-247.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
2470 pcs
参考価格
USD 10.3505/pcs
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GA06JT12-247 詳細な説明

品番 GA06JT12-247
部品ステータス Active
FETタイプ -
技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 1200V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 6A (Tc) (90°C)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） -
Vgs（th）（Max）@ Id -
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs -
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds -
Vgs（最大） -
FET機能 -
消費電力（最大） -
Rds On（Max）@ Id、Vgs 220 mOhm @ 6A
動作温度 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247AB
パッケージ/ケース TO-247-3
重量 -
原産国 -

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画像 品番 メーカー 説明 見る
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