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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › GA06JT12-247
GA06JT12-247

GA06JT12-247 - GeneSiC Semiconductor

Numero di parte
GA06JT12-247
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Breve descrizione
TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
GA06JT12-247 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
GA06JT12-247.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
2615 pcs
Prezzo di riferimento
USD 10.3505/pcs
Il nostro prezzo
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GA06JT12-247 Descrizione dettagliata

Numero di parte GA06JT12-247
Stato parte Active
Tipo FET -
Tecnologia SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) (90°C)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (massimo) -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 6A
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AB
Pacchetto / caso TO-247-3
Peso -
Paese d'origine -

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